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　　化合物薄膜材料可以采用反應(yīng)蒸鍍法、兩源法、三溫法和分子束外延方法制備.后三種方法本質(zhì)上沒有區(qū)別，只是相互之間做了某些改進.

　　反應(yīng)蒸鍍法是在活性氣體中蒸發(fā)固體物質(zhì)，在基板表面兩者起化學(xué)反應(yīng).而形成化合物薄膜的方法.典型例子有：在空氣和氧氣中蒸發(fā)SiO制備出SiO2薄膜;在氮氣中蒸發(fā)Zr，制備ZrN薄膜;在NH2中蒸發(fā)Al，制備AlN薄膜;在C2H2中蒸發(fā)Ti，制備TiC薄膜。表2.8給出了用這種方法制備一些化合物薄膜的條件.

化合物薄膜材料的真空蒸鍍

　　三溫法和分子束外延法用于制備單晶化合物半導(dǎo)體薄膜，主要用于制備Ⅲ～V族化合物半導(dǎo)體薄膜.三溫法在原理上和兩源法相同，但是在制備技術(shù)上兩者有區(qū)別.一般來說組成合金的金屬元素物質(zhì)的蒸氣壓相當(dāng)接近.例如，F(xiàn)e.CO和Ni在1000K下蒸氣壓大約是1.3l X 10^(-10)pa，Cr為1.33 X10^(-9)Pa，Au為1.33×10^(-9)Pa，Al，Be，Cu和Sn為1.33×10^(-6)Pa，Ag為1.33×10^(-4)Pa.但是，對Ⅲ一V族化合物而言，Ⅲ族元素物質(zhì)的蒸氣壓遠大于V族的蒸氣壓，而且Ⅲ一V族化合物半導(dǎo)體薄膜材料是以單晶形式使用的，因此使用單品基板。這時.基板溫度和兩個蒸發(fā)源溫度應(yīng)當(dāng)分別嚴格控制.

　　分子束外延方法實際上是改進了的三溫法.它首先用于制備Ⅲ一V族化合物半導(dǎo)體單晶薄膜.三元化合物半導(dǎo)體薄膜，例如，GaAsS、Ph等混晶化合物半導(dǎo)體薄膜，超晶格結(jié)構(gòu)等，都是用分子外延生長法制備的.分子束外延方法實際上是把從蒸發(fā)源蒸發(fā)出來的所有成分的元素變成束狀的一種方法.