1756-OB8，1756-OB8
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存儲(chǔ)器技術(shù)的成熟使得RAM和ROM之間的界限變得很模糊，
如今有一些類型的存儲(chǔ)器(如EEPROM和閃存)組合了兩者的特性。這些器件像RAM一樣進(jìn)行讀寫(xiě)，并像ROM一樣在斷電時(shí)保持?jǐn)?shù)據(jù)，它們都可電擦除且可編程，但各自有它們優(yōu)缺點(diǎn)。
從軟件角度看，獨(dú)立的EEPROM和閃存器件是類似的，
兩者主要差別是EEPROM器件可以逐字節(jié)地修改，
而閃存器件只支持扇區(qū)擦除以及對(duì)被擦除單元的字、頁(yè)或扇區(qū)進(jìn)行編程。對(duì)閃存的重新編程還需要使用SRAM，因此它要求更長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)有更多的器件在工作，從而需要消耗更多的電池能量。
設(shè)計(jì)工程師也必須確認(rèn)在修改數(shù)據(jù)時(shí)有足夠容量的SRAM可用。
存儲(chǔ)器密度是決定選擇串行EEPROM或者閃存的另一個(gè)因素。
市場(chǎng)上可用的獨(dú)立串行EEPROM器件的容量在128KB或以下，獨(dú)立閃存器件的容量在32KB或以上。
如果把多個(gè)器件級(jí)聯(lián)在一起，可以用串行EEPROM實(shí)現(xiàn)高于128KB的容量。很高的擦除/寫(xiě)入耐久性要求促使設(shè)計(jì)工程師選擇EEPROM，因?yàn)榈湫偷拇蠩EPROM可擦除/寫(xiě)入100萬(wàn)次。閃存一般可擦除/寫(xiě)入1萬(wàn)次，只有少數(shù)幾種器件能達(dá)到10萬(wàn)次。
今天，大多數(shù)閃存器件的電壓范圍為2.7V到3.6V。如果不要求字節(jié)尋址能力或很高的擦除/寫(xiě)入耐久性，在這個(gè)電壓范圍內(nèi)的應(yīng)用系統(tǒng)采用閃存，可以使成本相對(duì)較低。
Sanyo DenkiBL Super, Robustsyn RB2451A-104 Motor
BONDSTRAND 12'' 5000TEEQLF GRE PIPE
BONDSTRAND GRE PIPE
Honeywell Ademco HDCLN0AES ACUIX ES Outdoor Scan,36X Wide
Koganei, DYNA DDAE50X100 Double Acting Cylinder
Microscan MS-610, FIS-0610-0004 Class 2
NNC 3005 Circuit Board
Alcatel SNIUBA01AA / HIF-M Circuit Board
Mitsubishi GM-S Gear Motor, 3 Phase, 200-220 Volts, 1.30-1.15 Amp, 100-120 RPM
Alcatel SNPQBFC1AA, 3AL 00136, CLK202 ICS 01 Card
Alcatel 3AL00124ABAB, SNPQCTM1AA, CLK202 ICS 02 Card
Power General 6104-L Power Supply
Harbor Manual Hand Press
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